半導體導電型號測試儀 型號： SZT-3
 是為了鑒別硅單晶材料的導電類型 “P”和 “N”的測量儀器,是采用溫差效應和整流效應兩種方法相結(jié)合綜合性的測量導電型號儀器,測量范圍廣硅材料電阻率從10-2~104Ω•cm,儀器采用美國16位單片集成電路計算機為核心,利用數(shù)字采集濾波技術(shù),并用 “P” “N”數(shù)碼直接顯示。采用了單片機技術(shù)可使測量的準確度和穩(wěn)定性大幅度提高。儀器采用手持式四探然探頭，使用簡單，操作方便，且壽命長，適合半導體材料廠、器件廠和科研部門需要。
用作太陽能多晶材料分選時,采用整流法,對<0.01Ω-cm的材料具有聲光報警功能,廣泛應用于太陽能電池生產(chǎn)的原材料篩選環(huán)節(jié),快速高效。
主要技術(shù)指標：
1． 測量范圍：硅單晶材料電阻率10-2~104Ω•cm
2．  可測量材料：半導體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
    可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3．  顯示方式：P、N 燈顯示。
4．  測試探頭：手持式 探針間距3 mm         探針Φ1mm 高速鋼
5．  電源：220V 50HZ 20W